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射頻離子源 RFICP 220
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射頻離子源 RFICP 220

KRI 射頻離子源 RFICP 220
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源,適用于離子濺鍍,離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 離子源 RFICP 220 配有離子光學元件,可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 標準配置下離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數:

型號

RFICP 220

供電

RF 射頻感應耦合

 - 陰極燈絲

-

 - 射頻功率

2 KW

電子束

OptiBeam™

 - 柵極

專用,自對準

 -柵極直徑

22 cm

中和器

LFN 2000

電源控制

RFICP 1510-2-10-LFNA

配置

-

 - 陰極中和器

LFN2000 or MHC1000 or RFN

 - 安裝

移動或快速法蘭

 - 高度

11.8'

 - 直徑

16.1'

 - 離子束

聚焦
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

8-45”

 - 自動控制

控制4種氣體

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

KRI 考夫曼離子源 RFICP 220 應用領域:
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

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