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KRI 離子源應用
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KRI 離子源應用

KRI 離子源應用
上海伯東代理美國 KRI 考夫曼離子源主要應用于真空環境下的離子束輔助沉積, 納米級的干式蝕刻和表面改性.

 常見的工藝應用

簡稱

 In-Situ Substrate Preclean 基片預清洗

PC

 Ion Beam Modification of Material & Surface Properties 離子束材料和表面改性
 - Surface polishing or smoothing 表面拋光
 - Surface nano structures and texturing 改變納米結構和紋理
 - Ion figuring and enhancement 離子刻蝕成形
 - Ion trimming and tuning 離子表面優化
 - Surface activated bonding

IBSM




SAB

 Ion Beam Assisted Deposition 離子束輔助沉積

IBAD

 Ion Beam Etching 離子蝕刻
 - Reactive Ion Beam Etching 反應離子蝕刻
 - Chemically Assisted Ion Beam Etching 化學輔助離子蝕刻

IBE
RIBE
CAIBE

 Ion Beam Sputter Deposition 磁控濺射輔助沉積
 - Reactive Ion Beam Sputter Deposition 反應離子磁控濺射沉積
 - Biased Target Ion Beam Sputter Deposition 偏壓離子束磁控濺射

IBSD
RIBSD
BTIBSD

 Direct Deposition 直接沉積
 - Hard and functional coatings 硬質和功能膜

DD


作為一種新興的材料加工技術, 美國 KRI 考夫曼離子源憑借出色的技術性能, 協助客戶獲得理想的薄膜和材料表面性能. 行業涉及精密光學, 半導體制造, 傳感器, 醫學等多個領域.

薄膜鍍膜
 

精密薄膜控制
薄膜為若干單層膜

考夫曼離子源
 

半導體
可重復使用的金屬涂層附著力

離子蝕刻
 

蝕刻晶元
刻蝕均勻性和臨界幾何尺寸

離子源
 

MEMS, 傳感器和顯示器
表面優化
 

離子源
 

精密光學
薄膜致密穩定, 折射率優化, 吸收率低

離子源
 

磁數據存儲
金屬和介質多層堆疊中納米特性的各向異性和均勻腐蝕

 

 

 

 

 

 

 

 

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